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基于PCB板+IGBT模塊+散熱器總成精細(xì)化熱-固耦合仿真模型，精準(zhǔn)復(fù)現(xiàn)整機(jī)由于各層結(jié)構(gòu)CTE不同導(dǎo)致的“呼吸效應(yīng)”熱變形首先通過(guò)構(gòu)建PCB板+IGBT模塊+散熱器熱-固耦合模型，精準(zhǔn)復(fù)現(xiàn)因CTE差異導(dǎo)致的“呼吸效應(yīng)”熱變形，定位溫度循環(huán)動(dòng)載荷致Pin針焊層疲勞失效的原因；通過(guò)Creo參數(shù)化建模并與Ansys Workbench聯(lián)合，結(jié)合響應(yīng)面優(yōu)化Pin針結(jié)構(gòu)參數(shù)，尋優(yōu)時(shí)間縮至24h內(nèi)

那么我們的RLC局部寄生參數(shù)的提取，這一小部分的仿真工作就完成了，如果要把整個(gè)IGBT的模型的寄生參數(shù)提取出來(lái)，那這個(gè)工作量是真的不小。沒(méi)有辦法只能一個(gè)一個(gè)來(lái)。九層之臺(tái)，起于壘土。文章來(lái)源：CST電磁兼容性仿真

IGBT校準(zhǔn)案例 Part 1 仿真與測(cè)試的設(shè)置 對(duì)某型號(hào)的IGBT模型進(jìn)行校準(zhǔn)，其結(jié)構(gòu)如圖所示。

本文摘自微信公眾號(hào)：CST電磁兼容性仿真如果對(duì)CST電磁兼容性仿真感興趣的朋友可以關(guān)注或者掃描我的微信公眾號(hào)二維碼最近有同學(xué)問(wèn)小編CST是否可以提取3D模型的局部寄生參數(shù)。其實(shí)CST官方里面寫(xiě)了好幾篇關(guān)于寄生參數(shù)提取的文章。而且CST的library里面也有相關(guān)案例。正好小編最近也在擺弄IGBT的模型。

IGBT應(yīng)用及封裝設(shè)計(jì)· IGBT特征化建模和開(kāi)關(guān)特性測(cè)試· IGBT寄生參數(shù)提取及系統(tǒng)性能分析· IGBT電磁性能分析和傳導(dǎo)路徑優(yōu)化· IGBT多物理場(chǎng)耦合特性分析· IGBT熱模型提取及系統(tǒng)性能分析· IGBT輻射干擾分析2. 驅(qū)動(dòng)/控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)3.

一.技術(shù)參數(shù) 1.分析類型：穩(wěn)態(tài)熱仿真 2.材料：Cooler：ADC12 3.邊界條件：Ambient temperature：85℃ Cooler face temperature:75℃ Air Convention:10W/(m2·K) 4.載荷：IGBT PowerLoss=30W/chip Diode PowerLoss

CFD 建模和仿真適用于汽車(chē)、航空航天、制造業(yè)、電子、醫(yī)療保健和環(huán)境工程等領(lǐng)域。簡(jiǎn)而言之，所有涉及流體的應(yīng)用都可以使用 CFD 工具進(jìn)行建模和仿真。CFD 建模和仿真廣泛使用的部分原因是出現(xiàn)了多學(xué)科的建模、分析和優(yōu)化要求。為什么 CFD 建模和仿真很重要CFD 建模和仿真從根本上改變了設(shè)計(jì)和制造過(guò)程。

采用SolidWorks2016版本的流體分析軟件FLOEFD對(duì)功率模塊IGBT進(jìn)行水冷散熱仿真案例，詳細(xì)介紹了軟件操作的步驟及過(guò)程，有助于入門(mén)學(xué)習(xí)及實(shí)際案例操作。附件包含案例操作PPT文件和模型的STP文件。部分文件內(nèi)容截圖如下：

/ 耦合等模型的圖形和文本建模功能，支持基于多領(lǐng)域統(tǒng)一建模的復(fù)雜產(chǎn)品建模與仿真系統(tǒng)研制，能滿足復(fù)雜產(chǎn)品的建模仿真應(yīng)用。

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## 適合人群 - 電氣工程專業(yè)學(xué)生：希望提升電氣工程建模與仿真能力的本科生及研究生。 - 在職工程師：希望在項(xiàng)目中使用 OpenModelica 進(jìn)行高級(jí)建模與仿真的電氣工程師及技術(shù)人員。 - 科研與學(xué)術(shù)人員：從事電氣工程及相關(guān)領(lǐng)域研究、需要強(qiáng)大系統(tǒng)建模分析工具的研究者。

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作品名稱：精準(zhǔn)量化仿真探索——大小尺度共存的 HFSS 建模挑戰(zhàn)與 EMIT 射頻靈敏度仿真應(yīng)用作者： 林翰軒 | 中興通訊股份有限公司 射頻工程師關(guān)鍵詞：低量級(jí)EMI，大小尺度共存，射頻靈敏度作者說(shuō)利用Ansys工具能通過(guò)簡(jiǎn)單的步驟進(jìn)行復(fù)雜模型建模操作，并提供了一系列的統(tǒng)一設(shè)置、簡(jiǎn)化方法、模型修補(bǔ)方案、快速計(jì)算方案，在電磁仿真中表現(xiàn)出很高的準(zhǔn)確度，是十分適合電磁類設(shè)計(jì)的軟件

本文將基于Amesim的HCD庫(kù)對(duì)該閥進(jìn)行建模仿真，可供學(xué)習(xí)充液閥以及學(xué)習(xí)HCD庫(kù)元件建模的小伙伴們參考。

如果想要讓仿真更加貼合實(shí)際狀態(tài)，參數(shù)設(shè)計(jì)更加精準(zhǔn)，必須先掌握軸承的基礎(chǔ)知識(shí)，可以輔助建模過(guò)程，事半功倍）。板塊二：軸承Adams建模 （選取行星齒輪機(jī)構(gòu)小模型進(jìn)行實(shí)戰(zhàn)演練，加入軸承建模方法，手把手帶你深入了解建模過(guò)程）。板塊三：軸承Adams仿真后處理（通過(guò)仿真后處理查看，可以得到軸承運(yùn)行各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)，幫助用戶合理選擇軸承參數(shù)）。

下載地址：電力電子、電機(jī)控制系統(tǒng)的建模和仿真

本文摘自微信公眾號(hào)：CST電磁兼容性仿真如果對(duì)CST電磁兼容性仿真感興趣的朋友可以關(guān)注或者掃描我的微信公眾號(hào)二維碼小編今天分享一個(gè)在CST 3D建模的小技巧。我們?cè)谶M(jìn)行CST電磁兼容性系統(tǒng)級(jí)別的仿真的時(shí)候，有時(shí)會(huì)遇到建模的時(shí)候電路跑的信號(hào)不對(duì)，這樣導(dǎo)致無(wú)法進(jìn)一步的做電磁兼容性仿真的工作。

以5.5 k W控制器為例，對(duì)其主要發(fā)熱器件電容及IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵極型晶體管）進(jìn)行熱仿真分析。1 控制器的前處理1.1 控制器結(jié)構(gòu)降階處理對(duì)5.5 k W控制器進(jìn)行3D建模，顯示控制器有1215個(gè)部件，控制器模型如圖1所示。若全部仿真會(huì)使模擬計(jì)算量和時(shí)間增加，一般需要進(jìn)行模型降階處理[5]。